GP1M010A080N
GP1M010A080N
Artikelnummer:
GP1M010A080N
Hersteller:
Global Power Technologies Group
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12098 Pieces
Datenblatt:
GP1M010A080N.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3PN
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):312W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:GP1M010A080N
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2336pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Drain-Source-Spannung (Vdss):900V
Beschreibung:MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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