Kaufen GP2M005A060PGH mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 98.4W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | 1560-1202-1 1560-1202-1-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | GP2M005A060PGH |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 658pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |