Kaufen GP2M005A060PGH mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | I-Pak |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V |
Verlustleistung (max): | 98.4W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andere Namen: | 1560-1202-1 1560-1202-1-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | GP2M005A060PGH |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 658pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-Pak |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |