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HP8S36TB
- Artikelnummer:
- HP8S36TB
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17099 Pieces
- Datenblatt:
- HP8S36TB.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für HP8S36TB, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für HP8S36TB per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-HSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 32A, 10V |
| Leistung - max: | 29W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | HP8S36TBTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | HP8S36TB |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6100pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 27A, 80A |
| Email: | [email protected] |
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