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HTNFET-DC
- Artikelnummer:
- HTNFET-DC
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18925 Pieces
- Datenblatt:
- HTNFET-DC.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für HTNFET-DC, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für HTNFET-DC per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | - |
| Serie: | HTMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Verlustleistung (max): | 50W (Tj) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | HTNFET-DC |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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