HUFA76639S3ST
HUFA76639S3ST
Artikelnummer:
HUFA76639S3ST
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13543 Pieces
Datenblatt:
HUFA76639S3ST.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 51A, 10V
Verlustleistung (max):180W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:HUFA76639S3ST
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:51A (Tc)
Email:[email protected]

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