IMB2AT110
IMB2AT110
Artikelnummer:
IMB2AT110
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12447 Pieces
Datenblatt:
IMB2AT110.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:SMT6
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):47k
Leistung - max:300mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-74, SOT-457
Andere Namen:IMB2AT110-ND
IMB2AT110TR
SMT6/SC-74/SOT-457
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IMB2AT110
Frequenz - Übergang:250MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Beschreibung:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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