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IMD14T108
- Artikelnummer:
- IMD14T108
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13513 Pieces
- Datenblatt:
- IMD14T108.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IMD14T108, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IMD14T108 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | 10k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 220 |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-74, SOT-457 |
| Andere Namen: | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IMD14T108 |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Beschreibung: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 82 @ 100mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IMD14T108
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
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 |
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