Kaufen IPA65R150CFDXKSA1 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO220 Full Pack |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Verlustleistung (max): | 34.7W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack |
Andere Namen: | SP000907026 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | IPA65R150CFDXKSA1 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2340pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 22.4A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 22.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |