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IPB017N08N5ATMA1
- Artikelnummer:
- IPB017N08N5ATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13863 Pieces
- Datenblatt:
- IPB017N08N5ATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPB017N08N5ATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPB017N08N5ATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 280µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 375W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | IPB017N08N5ATMA1DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPB017N08N5ATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 16900pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 223nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 80V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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