IPB117N20NFDATMA1
IPB117N20NFDATMA1
Artikelnummer:
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18270 Pieces
Datenblatt:
IPB117N20NFDATMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 84A, 10V
Verlustleistung (max):300W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:IPB117N20NFDATMA1DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IPB117N20NFDATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6650pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

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