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IPB17N25S3100ATMA1
IPB17N25S3100ATMA1
Artikelnummer:
IPB17N25S3100ATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17950 Pieces
Datenblatt:
IPB17N25S3100ATMA1.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 54µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TO263-3-2
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max):107W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:SP000876560
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IPB17N25S3100ATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 250V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Drain-Source-Spannung (Vdss):250V
Beschreibung:MOSFET N-CH TO263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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