Kaufen IPB80P04P4L04ATMA1 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3-2 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max): | 125W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen: | SP000840196 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | IPB80P04P4L04ATMA1 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 176nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
Beschreibung: | MOSFET P-CH TO263-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |