Kaufen IPB90N06S4L04ATMA1 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 90µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
Verlustleistung (max): | 150W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen: | IPB90N06S4L-04 IPB90N06S4L-04-ND SP000415574 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | IPB90N06S4L04ATMA1 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 13000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |