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IPD60R1K5CEATMA1
- Artikelnummer:
- IPD60R1K5CEATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18687 Pieces
- Datenblatt:
- IPD60R1K5CEATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPD60R1K5CEATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPD60R1K5CEATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 28W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | IPD60R1K5CEATMA1DKR |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer: | IPD60R1K5CEATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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