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IPD80R4K5P7ATMA1
- Artikelnummer:
- IPD80R4K5P7ATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18039 Pieces
- Datenblatt:
- IPD80R4K5P7ATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPD80R4K5P7ATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPD80R4K5P7ATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 13W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | IPD80R4K5P7ATMA1DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPD80R4K5P7ATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 80pF @ 500V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Super Junction |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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