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IPI032N06N3GAKSA1
- Artikelnummer:
- IPI032N06N3GAKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 120A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13028 Pieces
- Datenblatt:
- IPI032N06N3GAKSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPI032N06N3GAKSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPI032N06N3GAKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 118µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 188W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | SP000680650 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPI032N06N3GAKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 120A |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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