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IPI65R280E6XKSA1
- Artikelnummer:
- IPI65R280E6XKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16452 Pieces
- Datenblatt:
- IPI65R280E6XKSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPI65R280E6XKSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPI65R280E6XKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 440µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO262-3-1 |
| Serie: | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 104W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | SP000795270 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPI65R280E6XKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 13.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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