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IPL60R650P6SATMA1
- Artikelnummer:
- IPL60R650P6SATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14737 Pieces
- Datenblatt:
- IPL60R650P6SATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPL60R650P6SATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPL60R650P6SATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-ThinPak (5x6) |
| Serie: | CoolMOS™ P6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 56.8W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | IPL60R650P6SATMA1DKR |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPL60R650P6SATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 557pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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