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IPL65R1K5C6SATMA1
- Artikelnummer:
- IPL65R1K5C6SATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8TSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12024 Pieces
- Datenblatt:
- IPL65R1K5C6SATMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPL65R1K5C6SATMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPL65R1K5C6SATMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 100µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Thin-PAK (5x6) |
| Serie: | CoolMOS™ C6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 26.6W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen: | SP001163086 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPL65R1K5C6SATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 225pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount Thin-PAK (5x6) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 8TSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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