Kaufen IPP072N10N3GHKSA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 150W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | SP000469896 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IPP072N10N3GHKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4910pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |