Kaufen IPP80P04P4L04AKSA1 mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
IPP80P04P4L04AKSA1
- Artikelnummer:
- IPP80P04P4L04AKSA1
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH TO220-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19996 Pieces
- Datenblatt:
- IPP80P04P4L04AKSA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IPP80P04P4L04AKSA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IPP80P04P4L04AKSA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO220-3-1 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 125W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | SP000840200 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IPP80P04P4L04AKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 176nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH TO220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IPP80P04P4L04AKSA1
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP80P03P405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80P04P407AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80P04P4L06AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80P04P4L08AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80N06S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Anfrage |
|
IPP80N04S2H4AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80P04P405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | Anfrage |
|
IPP80P03P4L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3 | Anfrage |
 |
IPP80N06S405AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog