Kaufen IRF1010Z mit BYCHPS
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		| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA | 
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB | 
| Serie: | HEXFET® | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 75A, 10V | 
| Verlustleistung (max): | 140W (Tc) | 
| Verpackung: | Tube | 
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 | 
| Andere Namen: | *IRF1010Z | 
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) | 
| Befestigungsart: | Through Hole | 
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Hersteller-Teilenummer: | IRF1010Z | 
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 25V | 
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V | 
| Typ FET: | N-Channel | 
| FET-Merkmal: | - | 
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 55V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB | 
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V | 
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | 
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 75A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |