IRF630NSTRR
IRF630NSTRR
Artikelnummer:
IRF630NSTRR
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
verfügbare Anzahl:
19323 Pieces
Datenblatt:
IRF630NSTRR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 5.4A, 10V
Verlustleistung (max):82W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:IRF630NSTRR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:575pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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