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IRF630NSTRR
- Artikelnummer:
- IRF630NSTRR
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 19323 Pieces
- Datenblatt:
- IRF630NSTRR.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRF630NSTRR, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRF630NSTRR per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 82W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRF630NSTRR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 575pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IRF630NSTRR
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | Anfrage |
 |
IRF630NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | Anfrage |
 |
SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | Anfrage |
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TJ10S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3 | Anfrage |
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FCH47N60F_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Anfrage |
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IRF630NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | Anfrage |
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IRF630NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | Anfrage |
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FQB7N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | Anfrage |
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IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | Anfrage |
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FDG328P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 | Anfrage |
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DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 | Anfrage |
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IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | Anfrage |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | Anfrage |
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