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IRF6617TR1
- Artikelnummer:
- IRF6617TR1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 19367 Pieces
- Datenblatt:
- IRF6617TR1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRF6617TR1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRF6617TR1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ ST |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.1 mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric ST |
| Andere Namen: | SP001529136 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRF6617TR1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 14A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 14A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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