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IRF6665TR1
- Artikelnummer:
- IRF6665TR1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 16807 Pieces
- Datenblatt:
- IRF6665TR1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRF6665TR1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRF6665TR1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET™ SH |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric SH |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRF6665TR1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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