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IRF7779L2TRPBF
- Artikelnummer:
- IRF7779L2TRPBF
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12403 Pieces
- Datenblatt:
- IRF7779L2TRPBF.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRF7779L2TRPBF, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRF7779L2TRPBF per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DIRECTFET L8 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | DirectFET™ Isometric L8 |
| Andere Namen: | IRF7779L2TRPBF-ND IRF7779L2TRPBFTR SP001572314 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IRF7779L2TRPBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6660pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 150V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 150V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 375A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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