IRFBC20STRLPBF
IRFBC20STRLPBF
Artikelnummer:
IRFBC20STRLPBF
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17103 Pieces
Datenblatt:
IRFBC20STRLPBF.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Verlustleistung (max):3.1W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:11 Weeks
Hersteller-Teilenummer:IRFBC20STRLPBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

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