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IRFD010
- Artikelnummer:
- IRFD010
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 16813 Pieces
- Datenblatt:
- IRFD010.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRFD010, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRFD010 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Andere Namen: | *IRFD010 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRFD010 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 50V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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