Kaufen IRFHM831TR2PBF mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
IRFHM831TR2PBF
- Artikelnummer:
- IRFHM831TR2PBF
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16609 Pieces
- Datenblatt:
- IRFHM831TR2PBF.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRFHM831TR2PBF, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRFHM831TR2PBF per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | IRFHM831TR2PBFDKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRFHM831TR2PBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 14A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IRFHM831TR2PBF
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN | Anfrage |
 |
IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | Anfrage |
|
IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN | Anfrage |
|
IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Anfrage |
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | Anfrage |
|
IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | Anfrage |
 |
IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | Anfrage |
|
IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN | Anfrage |
|
IRFHM830TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | Anfrage |
|
IRFHM830DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | Anfrage |
|
IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN | Anfrage |
|
IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A PQFN | Anfrage |
 |
IRFHM8363TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog