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IRFS31N20DTRRP
- Artikelnummer:
- IRFS31N20DTRRP
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19513 Pieces
- Datenblatt:
- IRFS31N20DTRRP.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRFS31N20DTRRP, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRFS31N20DTRRP per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SP001552276 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRFS31N20DTRRP |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für IRFS31N20DTRRP
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IRFS31N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | Anfrage |
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IRFS31N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | Anfrage |
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IRFS31N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | Anfrage |
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IRFS3107PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | Anfrage |
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