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IRLHM620TR2PBF
- Artikelnummer:
- IRLHM620TR2PBF
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14683 Pieces
- Datenblatt:
- IRLHM620TR2PBF.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IRLHM620TR2PBF, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IRLHM620TR2PBF per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 50µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-VQFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | IRLHM620TR2PBFDKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | IRLHM620TR2PBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3620pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 20V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 26A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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