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IS61QDP2B21M18A-333M3L
- Artikelnummer:
- IS61QDP2B21M18A-333M3L
- Hersteller:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Beschreibung:
- IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14519 Pieces
- Datenblatt:
- IS61QDP2B21M18A-333M3L.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für IS61QDP2B21M18A-333M3L, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für IS61QDP2B21M18A-333M3L per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannungsversorgung: | 1.71 V ~ 1.89 V |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | 165-LFBGA (15x17) |
| Geschwindigkeit: | 333MHz |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 165-LBGA |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherformat: | SRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IS61QDP2B21M18A-333M3L |
| Schnittstelle: | Parallel |
| Beschreibung: | IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA |
| Email: | [email protected] |
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