ISL9N302AS3
Artikelnummer:
ISL9N302AS3
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19359 Pieces
Datenblatt:
ISL9N302AS3.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-262AA
Serie:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max):345W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:ISL9N302AS3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:11000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-262AA
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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