IXDN430MYI
Artikelnummer:
IXDN430MYI
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18402 Pieces
Datenblatt:
IXDN430MYI.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannungsversorgung:8.5 V ~ 35 V
Supplier Device-Gehäuse:TO-263 (D²Pak)
Serie:-
Aufstieg / Fallzeit (Typ):18ns, 16ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Andere Namen:Q1952551
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber:1
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller-Teilenummer:IXDN430MYI
Logikspannung - VIL, VIH:0.8V, 3.5V
Eingabetyp:Non-Inverting
Gate-Typ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Expanded Beschreibung:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D²Pak)
Angetriebene Konfiguration:Low-Side
Beschreibung:IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink):30A, 30A
Ladestrom:Single
Email:[email protected]

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