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IXFP3N50PM
IXFP3N50PM
Artikelnummer:
IXFP3N50PM
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17599 Pieces
Datenblatt:
IXFP3N50PM.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 1.8A, 10V
Verlustleistung (max):36W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:IXFP3N50PM
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:409pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 500V 2.7A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.7A (Tc)
Email:[email protected]

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