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JAN1N6641US
- Artikelnummer:
- JAN1N6641US
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 16854 Pieces
- Datenblatt:
- JAN1N6641US.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für JAN1N6641US, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für JAN1N6641US per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.1V @ 300mA |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 50V |
| Supplier Device-Gehäuse: | D-5B |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/609 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 5ns |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SQ-MELF, B |
| Andere Namen: | 1086-20018 1086-20018-MIL |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | JAN1N6641US |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B |
| Diodentyp: | Standard |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 100nA @ 50V |
| Strom - Richt (Io): | 300mA |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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