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LND150N8-G
- Artikelnummer:
- LND150N8-G
- Hersteller:
- Micrel / Microchip Technology
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12752 Pieces
- Datenblatt:
- LND150N8-G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für LND150N8-G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für LND150N8-G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-89-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
| Verlustleistung (max): | 1.6W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
| Andere Namen: | LND150N8-G-ND LND150N8-GTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | LND150N8-G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 10pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Depletion Mode |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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