MBR600200CTR
MBR600200CTR
Artikelnummer:
MBR600200CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18143 Pieces
Datenblatt:
MBR600200CTR.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:920mV @ 300A
Spannung - Sperr (Vr) (max):200V
Supplier Device-Gehäuse:Twin Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Twin Tower
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MBR600200CTR
Expanded Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
Diodentyp:Schottky
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
Beschreibung:DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:3mA @ 200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):300A
Email:[email protected]

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