MMBF170-7-F
MMBF170-7-F
Artikelnummer:
MMBF170-7-F
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18663 Pieces
Datenblatt:
MMBF170-7-F.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-23-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 10V
Verlustleistung (max):300mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:MMBF170-FDITR
MMBF1707F
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MMBF170-7-F
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 500mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

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