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MTZJT-779.1C
- Artikelnummer:
- MTZJT-779.1C
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18675 Pieces
- Datenblatt:
- MTZJT-779.1C.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für MTZJT-779.1C, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MTZJT-779.1C per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Zener (Nom) (Vz): | 9.1V |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | - |
| Toleranz: | ±3% |
| Supplier Device-Gehäuse: | MSD |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 500mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | DO-204AG, DO-34, Axial |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | MTZJT-779.1C |
| Impedanz (Max) (Zzt): | 20 Ohm |
| Expanded Beschreibung: | Zener Diode 500mW ±3% Through Hole MSD |
| Beschreibung: | DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 500nA @ 6V |
| Email: | [email protected] |
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