MUR10060CT
Artikelnummer:
MUR10060CT
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14687 Pieces
Datenblatt:
1.MUR10060CT.pdf2.MUR10060CT.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.7V @ 50A
Spannung - Sperr (Vr) (max):600V
Supplier Device-Gehäuse:Twin Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):110ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Twin Tower
Andere Namen:MUR10060CTGN
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MUR10060CT
Expanded Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
Beschreibung:DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

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