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MURTA200120R
- Artikelnummer:
- MURTA200120R
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15609 Pieces
- Datenblatt:
- MURTA200120R.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für MURTA200120R, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MURTA200120R per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 2.6V @ 100A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Three Tower |
| Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Three Tower |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | MURTA200120R |
| Expanded Beschreibung: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Three Tower |
| Diodentyp: | Standard |
| Diodenkonfiguration: | 1 Pair Common Anode |
| Beschreibung: | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 25µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für MURTA200120R
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER | Anfrage |
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MURTA20060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Anfrage |
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MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER | Anfrage |
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