MURTA400120R
MURTA400120R
Artikelnummer:
MURTA400120R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14440 Pieces
Datenblatt:
MURTA400120R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:2.6V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1200V (1.2kV)
Supplier Device-Gehäuse:Three Tower
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Three Tower
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:MURTA400120R
Expanded Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V (1.2kV) 200A Chassis Mount Three Tower
Diodentyp:Standard
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
Beschreibung:DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:25µA @ 1200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):200A
Email:[email protected]

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