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NHP620MFDT3G
- Artikelnummer:
- NHP620MFDT3G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18694 Pieces
- Datenblatt:
- NHP620MFDT3G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NHP620MFDT3G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NHP620MFDT3G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1V @ 3A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 200V |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 25ns |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 25 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | NHP620MFDT3G |
| Expanded Beschreibung: | Diode Array 2 Independent Standard 200V 3A Surface Mount 8-PowerTDFN |
| Diodentyp: | Standard |
| Diodenkonfiguration: | 2 Independent |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 500nA @ 200V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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