NJD1718T4G
NJD1718T4G
Artikelnummer:
NJD1718T4G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PNP 50V 2A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16181 Pieces
Datenblatt:
NJD1718T4G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 1A
Transistor-Typ:PNP
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:-
Leistung - max:1.68W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:NJD1718T4G-ND
NJD1718T4GOSTR
Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:2 Weeks
Hersteller-Teilenummer:NJD1718T4G
Frequenz - Übergang:80MHz
Expanded Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 80MHz 1.68W Surface Mount DPAK
Beschreibung:TRANS PNP 50V 2A DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:70 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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