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NJVMJD31T4G
- Artikelnummer:
- NJVMJD31T4G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 40V 3A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16902 Pieces
- Datenblatt:
- NJVMJD31T4G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NJVMJD31T4G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NJVMJD31T4G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 40V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1.56W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | NJVMJD31T4G |
| Frequenz - Übergang: | 3MHz |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK |
| Beschreibung: | TRANS NPN 40V 3A DPAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 10 @ 3A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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