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NSS20101JT1G
- Artikelnummer:
- NSS20101JT1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 20V 1A SC-89
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19595 Pieces
- Datenblatt:
- NSS20101JT1G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für NSS20101JT1G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NSS20101JT1G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 20V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 220mV @ 100mA, 1A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-89-3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-89, SOT-490 |
| Andere Namen: | NSS20101JT1G-ND NSS20101JT1GOSTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 9 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | NSS20101JT1G |
| Frequenz - Übergang: | 350MHz |
| Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 300mW Surface Mount SC-89-3 |
| Beschreibung: | TRANS NPN 20V 1A SC-89 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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