NTB5405NT4G
NTB5405NT4G
Artikelnummer:
NTB5405NT4G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16585 Pieces
Datenblatt:
NTB5405NT4G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max):3W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:25 Weeks
Hersteller-Teilenummer:NTB5405NT4G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 32V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 40V 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:116A (Tc)
Email:[email protected]

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