NTD25P03LT4G
NTD25P03LT4G
Artikelnummer:
NTD25P03LT4G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14784 Pieces
Datenblatt:
NTD25P03LT4G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 25A, 5V
Verlustleistung (max):75W (Tj)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:NTD25P03LT4GOS
NTD25P03LT4GOS-ND
NTD25P03LT4GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:NTD25P03LT4G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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