NTD4906NAT4G
NTD4906NAT4G
Artikelnummer:
NTD4906NAT4G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14208 Pieces
Datenblatt:
NTD4906NAT4G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NTD4906NAT4G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1932pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 10.3A (Ta), 54A (Tc) Surface Mount DPAK
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10.3A (Ta), 54A (Tc)
Email:[email protected]

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